半導體裝置之中介層製造方法
專利資料
專利公告號 I689996 公告日 西元 2020 4 1
發明/創作名稱 半導體裝置之中介層製造方法
英文專利名稱
申請號 105113194 申請日 西元 2016 4 28
證書號 I689996 專利權到期日 西元 2036 4 27
專利類型 發明 公報卷/期 輯 / 第47 卷 / 第10
國際分類號 H01L-021/50(2006.01);H01L-021/58(2006.01);H01L-021/768(2006.01) 產業別 半導體類
專利特點概述
本發明係指一種半導體裝置之中介層製造方法,尤指一種無晶圓基板之中介層製造方法,包括一提供載板、一形成緩衝層於載板上表面、一形成導電通道於緩衝層上、一形成非導電層於緩衝層上、一形成線路重佈層、一形成電極通道於線路重佈層表面、以及一使載板脫離之步驟,藉此,使能被解離的載板上預先形成導電通路後,並利用沉積或塗佈之技術形成包覆導電通路之非導電層,使本發明之中介層不具有晶圓、玻璃或有機層等基板,而能使導電通道更精準、更微細化,大幅提高其接腳的數量與密度,且無需透過化學機械研磨來薄化中介層,因此可完全省下研磨程序的工時,而提高中介層的生產速度,並使中介層不致因鑽孔、研磨加工造成結構的破壞、裂痕,可有效的提高良率,並降低製造成本。
發明圖式/照片
圖例1-半導體裝置之中介層製造方法
聯絡人資料
發明人姓名 李志雄
發明人電話 0930938010
發明人E-mail chlee946124@gmail.com
專利權人姓名 李志雄
專利權人住址 桃園市桃園區經國路304號7樓
合作開發方式
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